制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.65 V

最大直流电集电极电流:200 mA

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BC858B

直流电流增益 hFE 最大值:475 at 2 mA, 5 V

封装:Cut Tape

封装:Reel

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:100 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:220 at 2 mA, 5 V

Pd-功率耗散:350 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

零件号别名:BC858B PBFREE TR